光刻手艺创意图。图片来历：OIST官网

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科技日报北京8月1日电（记者张梦然）据日本冲绳科学手艺年夜学院年夜学（OIST）官网最新陈述，该校设计了一种极紫外（EUV）光刻手艺，超出了半导体系体例造业的尺度边界。基在此设计的光刻装备可采取更小的EUV光源，其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一，从而下降本钱并年夜幅提高机械的靠得住性和利用寿命。

在传统光学系统中，例如拍照机、千里镜和传统的紫外线光刻手艺，光圈和透镜等光学元件以轴对称体例摆列在一条直线上。这类方式其实不合用在EUV射线，由于它们的波长极短，年夜大都会被材料接收。是以，EUV光利用新月形镜子指导。但这又会致使光线偏离中间轴，从而牺牲主要的光学特征并下降系统的整体机能。

为解决这一问题，新光刻手艺经由过程将两个具有细小中间孔的轴对称镜子摆列在一条直线上来实现其光学特征。

因为EUV接收率极高，每次镜子反射，能量就会削弱40%。依照行业尺度，只有年夜约1%的EUV光源能量经由过程10面反射镜终究达到晶圆，这意味着需要很是高的EUV光输出。

比拟之下，将EUV光源到晶圆的反射镜数目限制为总共4面，就可以有跨越10%的能量可以穿开云体育app透到晶圆，显著下降了功耗。

新EUV光刻手艺的焦点投影仪能将光掩模图象转移到硅片上，它由两个反射镜构成，就像天文千里镜一样。团队称，这类设置装备摆设简单得使人不可思议，由于传统投影仪最少需要6个反射镜。但这是经由过程从头思虑光学像差校订理论而实现的，其机能已经由过程光学摹拟软件验证，可包管知足进步前辈半导体的出产。团队为此设计一种名为“双线场”的新型照明光学方式，该方式利用EUV光从正面照耀平面镜光掩模，却不会干扰光路。

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